长鑫科技冲刺上市：科创板第二大IPO，4年亏近400亿，终打破韩美“三巨头”垄断

如同海思在手机处理器曾经进行的“无人区”探索，长鑫在DRAM领域取得的成就也几乎是从零开始的。

朱一明，长鑫存储创始人，出生于1972年，清华大学物理系本科及硕士，美国纽约州立大学石溪分校电子工程硕士。毕业后，朱一明便在美国硅谷投身于科技行业。然而，硅谷的高薪工作并不是他的最终目标。

2004年起，朱一明便开始尝试在存储器领域进行创业。在美国硅谷一家星巴克咖啡厅里，他向清华企业家协会TEEC发起人李军阐述创业计划时提到，“中国大陆在存储器领域发挥重要作用的时刻已经到来，我们要做中国最大存储器的设计和制造者。”

2005年，带着清华校友和其他投资人92万美元，朱一明从硅谷离职回到北京，成立了芯技佳易（兆易创新前身），开启存储器芯片的生产研发。

根据断电后存储的信息是否保留，存储芯片可以分为易失性存储芯片与非易失性存储芯片，其中易失性存储芯片的代表性产品有DRAM和SRAM，非易失性存储芯片则是以NAND Flash和NOR Flash为主流。

芯技佳易业务主要聚焦于Nor Flash产品，而Nor Flash仅是存储芯片市场一小部分。数据显示，2016年存储芯片整个市场中，DRAM产品占比约53%，Nor Flash占比仅有3%左右。

2016年，朱一明希望布局市场空间更大的DRAM产品，合肥市又提出了要大力建设“IC之都” ，希望培育本土半导体产业、实现产业转型升级。双方一拍即合，合肥市政府出资四分之三、兆易创新出资四分之一，共同出资约180亿元成立长鑫存储，目标是实现19纳米12英寸晶圆存储器的研发与量产。

从2017年3月开工到2018年5月生产设备进场，长鑫存储耗时一年完成了12英寸DRAM存储器晶圆厂的建设。

2019年，长鑫科技宣布正式量产首颗19nm工艺的DDR4内存芯片，对标国际主流DRAM产品，成为全球第四家DRAM产品采用20nm以下工艺的厂商。这也标志着中国在DRAM存储芯片领域实现关键突破。

2020年，搭载长鑫DDR4颗粒的内存条正式上市，标志着中国首款自主研发的DRAM芯片投入市场，还意味着中国在全球DRAM市场的正式起步。

为何长鑫能在较短的时间内实现技术突破？

朱一明曾在演讲时透露，长鑫的DRAM内存技术，主要是基于已破产的德国芯片公司奇梦达。长鑫获得了奇梦达一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据，并在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片，耗资超过25亿美元。

四年亏近400亿，2025预计实现盈利

如此具有标志性突破的背后，是长鑫科技多年不计成本的投入，与阿里、小米等巨头以及地方政府的资本扶持。

招股书数据显示，长鑫科技大概四年亏了近400亿元。2022年至2024年，长鑫科技归母净亏损约83.28亿元、163.40亿元、71.45亿元。

2025年前三季度，公司归母净亏损52.80亿元。从2022年至今年前三季度，长鑫科技累计归母净亏损370.93亿元。

不过，随着2025年下半年以来DRAM价格显著上涨，以及产能规模爬升等方面的影响，长鑫科技预计2025年营收为550亿元至580亿元，净利润预计为20亿元至35亿元。

这也意味着，在经历8年亏损长跑之后，长鑫科技2025年将首次实现扭亏为盈，其中四季度能实现约80亿元的盈利。

在亏损逐步收窄的过程中，长鑫科技的收入也在不断攀升。2022年至2024年收入复合增长率为70.81%，营收分别约为82.87亿元、90.87亿元和241.78亿元。2025年前三季度，长鑫实现营收320.84亿元，同比增长97.79%。

长鑫科技能坚持在亏损的情况下不断进行研发投入，离不开众多资本的长期支持与坚定押注。

招股书披露，长鑫科技无控股股东、实控人，直接持有公司5%以上股份的股东为清辉集电、长鑫集成、大基金二期、合肥集鑫及安徽省投，分别持股21.67%、11.71%、8.73%、8.37%、7.91%。

此外，阿里云计算、兆易创新、阿里网络、美的投资、湖北小米持股比例分别为3.85%、1.80%、1.12%、0.75%、0.21%。

申报IPO前，2025年6月，三名投资者向长鑫科技增资63.7亿元，其中阿里云计算出资61亿元取得长鑫科技3.85%股权。以此估算，长鑫科技在此轮融资中的估值约为1584亿元。

近期，摩尔线程、沐曦股份等国产AI芯片公司也轮番上市，并受到了资本市场热捧。以摩尔线程为例，这家公司在2024年末完成Pre-IPO融资，投后估值约300亿元，IPO发行市值达535亿元。截止发稿，摩尔线程最新市值为2912亿元。

存储行业进入强周期，长鑫借势起飞

长鑫科技在今年的业绩增长，与存储行业的强周期性有着紧密的联系。

一般来说，存储市场的价格波动的周期性非常鲜明，一般都是在价格上涨和价格暴跌的循环中周而复始，芯片价格波动幅度远超其他行业。

当下，存储芯片市场进入上行周期，存储芯片价格飙升，不少行业人士形容为“超级周期”。

根据DIGITIMES Research的统计，2024年底至2025年12月期间，DDR5 16Gb现货价格上涨超过500%，从4.6美元涨至28美元。DDR4 16Gb内存模块价格上涨1800%，从约3.2美元涨至62美元以上。

本轮存储芯片价格的剧烈上涨，主要由多个因素共同驱动，包括DDR4逐步退市、AI服务器需求激增、以及巨头研发重心的转移等。

一方面，AI服务器端的需求呈现出爆发式增长态势。这一显著变化使得HBM和SSD的需求大幅增加，这两类产品的热度急剧上升。

另一方面，三星、SK海力士先前明确将停产DDR4，将产能转向DDR5、LPDDR5和HBM，美光宣布削减DDR4出货直至停产，这就导致传统DRAM供给大幅收缩。

在招股书中，长鑫科技表示，DRAM产品销售单价波动较大，行业周期的影响较大，产品单价的下滑会使公司收入增速受到较大影响。比如2023年，长鑫DRAM产品销售单价的同比下滑43.54%，对利润造成冲击。

根据摩根士丹利近期报告，2026年DRAM产品价格预期同比涨幅30%。这意味着，今年长鑫科技业绩也会呈现上涨趋势。但长鑫科技也提醒称，如果未来DRAM行业下游市场需求疲软，长鑫的产品销售价格和经营业绩将面临不利影响。

目前，长鑫科技客户包括阿里云、字节跳动、腾讯、小米等巨头，移动设备领域收入为主要支柱。在核心产品及工艺技术的进展上，长鑫科技也在近期取得了重要的突破。

上个月，长鑫存储在中国国际半导体博览会上正式发布最新的DDR5产品系列，该系列产品最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb。

有业内人士评价指出，长鑫存储DDR5 最大速度8000Mbps，比上一代产品提升25%，在技术路线上至少已追上韩国DRAM公司。